Không lâu khi tên chính thức của mẫu SoC flagship sắp tới của Qualcomm được tiết lộ (đổi từ Snapdragon 8 Elite Gen 2 sang Snapdragon 8 Elite gen 5), các thông số kỹ thuật chi tiết hơn của chip này đã xuất hiện trên mạng.

Cụ thể điểm AnTuTu của Snapdragon 8 Elite Gen 5 được cho là cao hơn 50% so với Snapdragon 8 Elite. Con chip này được cho là đạt hơn 4 triệu điểm trên AnTuTu. Cho dễ so sánh, chiếc máy Android nhanh nhất hiện tại là REDMAGIC 10 Pro đang chạy Snapdragon 8 Elite chỉ đạt 2.662.615 điểm. Nếu con số này là chính xác, đây sẽ là một bước nhảy vọt đáng kể về hiệu năng ở thế hệ chip mới của Qualcomm sắp ra mắt.

Theo tipster Digital Chat Station trên Weibo, phiên bản Snapdragon 8 Elite Gen 5 thử nghiệm trên Galaxy S26 Edge đã ghi nhận các nhân hiệu năng đạt xung nhịp tới 4.74GHz trên Geekbench 6, cao hơn mức mặc định 4.61GHz trong tin đồn gần đây. Các nhân tiết kiệm năng lượng được cho là có xung nhịp 3.63GHz. Theo các rò rỉ, Snapdragon 8 Elite Gen 5 sẽ sử dụng cụm CPU "2 + 6" tương tự như Snapdragon 8 Elite nhưng dĩ nhiên là xung nhịp sẽ được cải tiến hơn rất nhiều.



Về GPU, Qualcomm sẽ trang bị Adreno 840 cho SoC flagship sắp tới, với tốc độ xung nhịp mặc định là 1.20GHz, cao hơn một chút so với Adreno 830 (1.10GHz). Các cả tiến về mặt xung nhịp nói trên có thể nhờ vào việc sử dụng tiến trình 3nm thế hệ 3 của TSMC.

Nhờ thỏa thuận độc quyền vói Qualcomm, Samsung có thể sẽ là hãng duy nhất có quyền sử dụng phiên bản mạnh nhất này của 8 Elite gen 5, dự kiến dùng cho mẫu Galaxy S26 series ra mắt sắp tới.

Hội nghị Snapdragon Summit của Qualcomm sẽ khởi động vào ngày 23 tháng 9 sẽ chính thức công bố chi tiết thông tin về mẫu chip này